2022年底,歷經(jīng)4個(gè)多月的嚴格現場(chǎng)測試和試用考核,集萃華科ZEUS-W300型半自動(dòng)晶圓測量機順利通過(guò)廈門(mén)通富微電子有限公司最終驗收,設備完全滿(mǎn)足通富微電先進(jìn)封測線(xiàn)磨劃制程對于晶圓關(guān)鍵參數的測量需求。
本次順利通過(guò)通富微電的高規格驗收,標志著(zhù)集萃華科晶圓測量機已經(jīng)具備國際領(lǐng)先水平的晶圓測量與校準能力,可以為客戶(hù)的研發(fā)與生產(chǎn)提供高品質(zhì)、高可靠性的質(zhì)量保障。
與此同時(shí),集萃華科公司與長(cháng)電微電子(江陰)有限公司簽訂半自動(dòng)晶圓測量機供貨訂單。再次獲得封測巨頭青睞,標志著(zhù)集萃華科晶圓測量機提供的標準化檢測、校準服務(wù)已獲得封測行業(yè)的一致認可,并為未來(lái)的發(fā)展與推廣奠定堅實(shí)基礎。
ZEUS系列晶圓測量機由集萃華科測量裝備事業(yè)部自主研發(fā),面向IC行業(yè)高精度光學(xué)三維形貌測量,已形成ZEUS-W300半自動(dòng)、ZEUS-W300A全自動(dòng)兩款產(chǎn)品,服務(wù)于化合物半導體、硅基器件前/后段、LED、光通訊等領(lǐng)域。
#ZEUS-W300半自動(dòng)晶圓測量機
#ZEUS-W300A全自動(dòng)晶圓測量機
產(chǎn)品功能說(shuō)明 | ||
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ZEUS-W300 | ZEUS-W300A | |
主要功能: 用于晶圓厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度、3D形貌、BUMP、關(guān)鍵尺寸、粗糙度等參數測量。 |
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主要性能參數: 測量行程:400mm(X)×400mm(Y)×30mm(Z); 可測圓片尺寸:50mm(2寸)至300mm(12寸); 可測圓片翹曲:翹曲15mm以?xún)龋?/span> 厚度測量范圍:50μm至24mm; 厚度測量精度:±0.5μm; 最大樣本傾斜率:25°; 可在一臺設備上搭配不同技術(shù)的測量探頭; 采用空氣懸浮臺,實(shí)現無(wú)振動(dòng)測量。 |
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特點(diǎn) |
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可搭載4個(gè)8/12寸片Load Port,或同時(shí)搭載兩個(gè)wafer robot實(shí)現60pcs/h的吞吐量,實(shí)現自動(dòng)上下料。 |
自研測量軟件
(3)強大的白光干涉技術(shù)
應用白光干涉技術(shù),獲取wafer表面的3D形貌、表面粗糙度、TSV等關(guān)鍵尺寸的相關(guān)數據,可對各種產(chǎn)品、部件和材料表面的粗糙度、波紋度、面形輪廓、表面缺陷、磨損情況、腐蝕情況、孔隙間隙、臺階高度、加工情況等表面形貌特征進(jìn)行測量和分析。以下圖片展示了該項技術(shù)在幾種不同材料上對不同參數進(jìn)行測量的應用案例。
應用案例:半導體、拋光硅片、減薄硅片、晶圓IC